AI 智能蒸汽压控制温差液相外延方案生成

本工具是一款专业的 蒸汽压控制温差液相外延法 (VP-TD-LPE) 辅助设计系统。支持 InP基材料 GaAs基材料 HgCdTe红外材料等多种半导体体系。智能计算 过冷度、源区温度 及 生长时间，帮助您快速生成高质量的液相外延生长工艺方案。

工艺参数

1 积分

材料体系

InP基

GaAs基

HgCdTe

GaN基

其他

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工艺方案

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VP-TD-LPE 工艺原理

通过控制挥发性组分的蒸汽压，抑制源溶液的挥发，从而精确控制溶液的饱和度。

利用源区与衬底区之间的温度差建立过冷度，驱动材料在衬底表面进行外延生长。

过冷度通常由源区温度和生长温度的差值决定，本工具会根据材料特性推荐最佳范围。

支持InP、GaAs、GaSb等多种标准半导体衬底，请在输入框中注明衬底晶向。