薄层 SOI 结构 C-V 表征分析

本工具是一款专业的 薄层SOI结构电容-电压表征分析工具，专为半导体物理微电子器件 SOI工艺研究人员设计。基于薄层硅膜物理模型，智能分析 C-V 测试数据，自动提取 阈值电压、 界面态密度 及 背栅效应 等关键参数。

配置参数

1 积分

SOI 结构类型

部分耗尽

全耗尽

双栅结构

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SOI C-V 表征原理

当栅压远低于阈值时，硅表面处于积累状态，C-V 曲线表现为最大氧化层电容 Cox。

随着电压增加，硅膜进入耗尽甚至反型。对于薄层 SOI，可能出现量子限制效应及界面耦合效应。

通常利用高低频 C-V 法或电导法，通过分析耗尽区电容随频率的变化来提取 Dit。

在 SOI 结构中，背栅电压会通过埋氧层影响顶层硅膜的阈值电压和电势分布。