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本工具是一款专业的 半导体单边突变结(p+—n)分析工具, 支持 Si半导体 GaAs半导体 Ge半导体 等多种半导体材料的结分析。 通过智能算法计算结参数、电场分布、耗尽区宽度和势垒高度, 显著提升您的 半导体物理课程学习和研究效率。
计算耗尽区宽度、势垒高度、最大电场强度等关键结参数。
分析耗尽区中的电场分布,理解结电容和电流特性。
基于半导体物理理论模型,计算结果具有较高的准确性,适用于教学和初步研究。
目前支持Si、GaAs和Ge等常用半导体材料,后续将增加更多材料类型。