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AI 辐射环境中纳米器件栅介质可靠性评估分析工具
本工具是一款专业的 纳米器件栅介质可靠性评估分析工具， 专注于 辐射环境 下的半导体器件失效机理分析。支持 总剂量效应(TID) 单粒子效应(SEE) 位移损伤(DDD) 等多种辐射损伤模式。 通过智能算法解析阈值电压漂移、漏电流增加等关键参数，自动生成符合 IEEE 标准的 可靠性评估报告， 助力微电子器件的抗辐射加固设计。
核心评估指标与标准
阈值电压漂移 (ΔVth)
评估辐射诱导氧化物陷阱电荷与界面态电荷对器件开启电压的影响，是TID效应的核心指标。
亚阈值摆幅退化
反映界面态密度的增加情况，直接影响器件的开关速度和亚阈值泄漏特性。
漏电流增加 (Ioff)
辐射导致的寄生漏电通道开启，不仅增加静态功耗，还可能导致器件功能失效。
跨导变化 (Gm)
表征载流子迁移率的退化程度，反映了沟道区域受辐射损伤的严重程度。
常见问题
评估依据是什么？
基于半导体物理模型及IEEE标准，结合辐射损伤机理进行综合分析。
适用哪些器件？
适用于纳米级MOSFET、FinFET、GAAFET等先进结构器件的栅介质可靠性分析。