PbTe-PbSnTe 异质结失配位错分析

本工具是一款专业的 异质结失配位错分析器，专注于 IV-VI族半导体 PbTe基材料界面应力计算。基于弹性理论模型，智能分析晶格失配度、临界厚度及 失配位错网络，为红外探测器及热电材料制备提供关键的理论 结构分析支持。

参数配置

1 积分

材料体系

PbTe基

CdTe基

GaAs基

Si-Ge

InAs/GaSb

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异质结失配位错原理

当两种不同晶格常数的材料生长在一起时，为了释放晶格失配产生的应变，界面处会形成失配位错网络。

根据Matthews-Blakeslee模型，薄膜厚度超过临界值后，位错会穿过界面，影响器件性能。

可采用缓冲层技术、组分渐变或热处理来缓解晶格失配，从而降低位错密度。

本工具基于弹性理论模型估算，实际结果需结合TEM等实验手段进行验证。