本工具是一款专业的 二维短沟道MOSFET数值模拟 系统, 支持 NMOS PMOS SOI器件 等结构的仿真分析。 通过数值算法求解 泊松方程 与 载流子连续性方程, 精确计算 直流稳态特性 与 衬底电流, 助您深入分析 短沟道效应 (SCE)。
基于有限元或有限差分法,联立求解二维泊松方程和电子/空穴连续性方程,获取器件内部的电势分布。
考虑碰撞电离效应,计算由漏端高场区产生的载流子引起的衬底泄漏电流,分析热载流子效应。
支持漂移扩散模型(DD),并可迁移至流体动力学模型(HD)以获得更精确的速度过冲描述。
请在输入框中明确各电极的接触类型(欧姆接触/肖特基接触)及施加的电压值。