本工具是一款专业的 金属遮挡优化型前照式sCMOS传感器中子辐照成像分析工具。 针对高能物理实验及航天成像应用,提供 暗电流退化 电荷收集效率 CTI分析 等维度的仿真评估。 通过智能算法模拟 中子辐照位移损伤 效应,优化 金属遮挡层结构, 显著提升传感器在强辐射环境下的 成像信噪比与分辨率。
中子轰击导致晶格位移缺陷,引起暗电流增加和电荷转移效率(CTE)下降。
通过优化金属遮光层结构,减少次级粒子对敏感区域的辐照通量,提升成像稳定性。
主要适用于前照式(FSI)及背照式(BSI)结构的sCMOS和CCD传感器。
关注暗电流增长率、MTF下降幅度及CCE随注量的变化曲线。