sCMOS中子辐照成像性能分析助手

本工具是一款专业的 金属遮挡优化型前照式sCMOS传感器中子辐照成像分析工具。 针对高能物理实验及航天成像应用,提供 暗电流退化 电荷收集效率 CTI分析 等维度的仿真评估。 通过智能算法模拟 中子辐照位移损伤 效应,优化 金属遮挡层结构, 显著提升传感器在强辐射环境下的 成像信噪比与分辨率

仿真配置
1 积分
标准辐照
遮挡优化
暗电流
CCE分析
MTF/分辨率
退火评估
仿真分析结果
sCMOS中子辐照成像性能分析助手
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用户评分
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中子辐照损伤原理与防护

位移损伤效应

中子轰击导致晶格位移缺陷,引起暗电流增加和电荷转移效率(CTE)下降。

金属遮挡优化

通过优化金属遮光层结构,减少次级粒子对敏感区域的辐照通量,提升成像稳定性。

常见问题

适用哪些传感器?

主要适用于前照式(FSI)及背照式(BSI)结构的sCMOS和CCD传感器。

如何评估结果?

关注暗电流增长率、MTF下降幅度及CCE随注量的变化曲线。

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