AI 1.3μm InGaAsP—InP双异质结边发光管设计

本工具是一款专业的 1.3μm InGaAsP—InP双异质结边发光管 结构设计助手, 针对 光纤通信 光电传感 高速数据传输 等应用场景进行参数优化。 基于 InP基材料系 的能带工程原理,智能计算有源区厚度、掺杂浓度及限制层结构, 助您快速设计出高 外量子效率光功率输出 的器件方案。

设计参数
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光纤通信
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设计方案
InGaAsP LED Design
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InGaAsP/InP LED 设计规范

双异质结结构 (DH)

利用 InGaAsP 作为有源区,InP 作为限制层,形成载流子和光子的双重限制,提高发光效率。

晶格匹配

有源区 InGaAsP 的四元组分需精确控制,以与 InP 衬底晶格常数匹配,减少非辐射复合中心。

常见问题

如何提高输出功率?

可通过增加有源区厚度、优化掺杂浓度以及提升腔端面反射率来增强输出功率。

1.3μm 波段的特点?

该波段对应光纤的低损耗窗口,适用于长距离通信,对材料纯度要求较高。

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