本工具是一款专业的 气体流速对外延层均匀性分析 系统。 针对 MOCVD LPCVD PECVD 等半导体外延工艺。 通过分析 气体流速场分布 与 边界层厚度 的关系, 智能评估其对薄膜厚度均匀性和掺杂浓度的影响,为您提供 工艺参数优化建议。
在高流速下,反应剂向衬底表面的扩散速度加快,边界层变薄,有助于提高外延层的生长速率和均匀性。
流速变化会影响反应室内的温度场分布,进而改变表面反应速率常数,必须精确匹配以避免寄生反应。
调整进气口角度、使用挡板或改变托盘旋转速度通常能改善流速分布,从而提升均匀性。
过高的流速可能导致原料利用率降低,并在喷淋头处产生过早反应,形成颗粒物污染。