本工具是一款专业的 化学蚀刻耦合腔激光器研究助手, 支持 C3激光器 DBR/DFB结构 外腔激光器 等多种光电子器件的分析。 通过智能算法解析 化学蚀刻深度 与 耦合系数 的关系, 助您优化 激光器单模稳定性 与阈值特性。
精确控制蚀刻深度是形成解理镜面或耦合反射面的关键,直接影响腔体的反射率和耦合效率。
通过两个或多个谐振腔的光学耦合,实现复杂的模式选择机制,从而获得窄线宽、单模输出的激光特性。
优化蚀刻深度以控制反射比,并精确调节各腔体的注入电流比例。
主要适用于InP、GaAs等III-V族半导体材料体系。