4H-SiC 位错载流子拉曼光谱分析

本工具是一款专业的 4H-SiC位错载流子拉曼光谱分析助手，专注于基平面位错(BPD) 螺型位错(TSD) 刃型位错(TED) 等微观缺陷的研究。通过智能解析拉曼光谱中的 LOPC效应 与峰位偏移，精准评估不同位错对 载流子浓度 及迁移率的影响。

实验参数配置

1 积分

样品类型

N型外延

半绝缘衬底

高纯半绝缘

P型掺杂

离子注入区

其他类型

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4H-SiC 拉曼光谱分析原理

纵光学声子与等离子体激元的耦合(LOPC)是分析载流子浓度的关键机制，峰位和不对称性随浓度变化显著。

位错周围的应力场会导致晶格常数改变，进而引起拉曼峰位的微弱移动和峰宽展宽，反映缺陷密度。

结合拉曼光谱的应力分布分析与KOH腐蚀形貌图，可区分BPD、TSD和TED。

基于最新的物理模型校准，对高浓度载流子(>1e16 cm^-3)的分析具有较高的参考价值。